2017年10月13日下午，首届国际先进光刻技术研讨会胜利闭幕，本次会议为期两天，由集成电路产业技术创新战略联盟主办，中国科学院微电子研究所承办，中芯国际(SMIC)、长江存储(YMTC)、华虹集团、Mentor、ASML、KLA Tencor、南大光电(Nata)、上海微电子装备(集团)股份有限公司(SMEE)、Synopsys、Toppan、JSR、东方晶源、沈阳芯源赞助。会议共有200余人参会，分别来自中国、美国、德国、日本等世界各地众多名企、厂商、科研机构、高校等。

会议开始，大会主席、集成电路产业技术创新战略联盟理事长、科技部原副部长曹健林，国家外专局原局长马俊如，科技部重大专项办副巡视员、02专项实施管理办公室副主任邱钢先后为大会致开幕词，大会副主席、中科院微电子研究所所长叶甜春就当前行业趋势做了分析报告，大会秘书长、中科院微电子研究所计算光刻研发中心主任韦亚一研究员主持开幕式。按照大会安排，在这两天的时间里，来自Intel、IBM、Qualcomm(高通)、AMD、ASML、SMIC等公司的特邀嘉宾分别就拟定的主题做了特邀报告，深入分析了光刻领域先进节点最新的技术手段和解决方案，内容丰富，包含7nm及以下节点的计算光刻技术、SMO、DTCO、EUV、DSA、Design rules、光刻设备、材料等。会后，参会嘉宾进行合影留念。

邓海教授介绍了定向自组装(DSA)图形技术，它将在7nm和更远的范围内得到应用。多年来，IBM和IMEC等对传统的DSA材料，如PS-b-PMMA，进行广泛地研究。然而，除了缺陷问题，10 nm的最大分辨率限制了它的潜力。高χ共聚物是目前最具前景的DSA材料，其分辨率超过7nm。然而，据报道，退火时间太长以至于无法应用到半导体工艺，要在2min内获得完整的组装光刻图形是非常困难的。报告中提出了新的高χ DSA共聚物，用于100℃以下的快速组装。通过SAXS、TEM和SEM，并且证明了这种新的DSA系统在80℃退火1min后，达到了4.4 nm或更低的分辨率。

（部分信息来自光刻人的世界）