在本次大会上，广州微纳光刻材料科技有限公司 总经理助理杨振宇发表了题为《从量产光刻胶到下一代光刻材料》的演讲。

杨振宇：广微纳在ArF光刻胶之后，积极布局EUV和DSA领域以开发下一代光刻胶，其中针对5 nm分辨率快速DSA材料与复旦大学展开紧密的产学研合作，共同推进技术革新。

各位业内的前辈领导，大家下午好，我是来自广微纳的杨振宇，我演讲的题目是《从量产光刻胶到下一代光刻材料》。

关于什么是光刻和光刻胶，我在这里为一些可能不是材料背景的朋友简单介绍一下。

做个比方，光刻就是纳米尺度的照相，光刻机就相当于我们的照相机，而光刻胶就是我们的感光的底片。从光刻机照相机上面射出来的激光，经过带有芯片设计所需的纳米图形的光照，选择性地照射到我们感光底片上，也就是光刻胶上，再由光刻胶将芯片设计所需要的纳米图形转移到最后形成芯片的晶圆上面。

光刻胶是光刻里一个不可缺少的关键材料，而光刻的工艺跟光刻胶材料，所能达到的一个极限分辨率是跟入射光的波长相关的。

目前国际社会上主流的光刻胶是Arf光刻胶，它所对应的入射光波长是193纳米，所以它也常被称作193光刻胶。目前它在国际市场上的均价大概是每加仑3000美金左右，包括我们公司在内，许多国内的公司也在进行Arf的攻关。但国内的起步比较晚，而且国外对于我们Arf光刻胶在技术以及原材料供应链上面设置了许多壁垒，所以目前国内Arf光刻胶的国产化替代进程只能算刚开始。

为了加速Arf光刻胶国产化进程，解决国家在这方面被卡脖子的问题。我们于2020年4月在广州成立了广州微纳光刻材料科技有限公司，专注于以Arf光刻胶为首的高端光刻材料的国产化和国际化。

广州微纳的优势：

自主原材料技术：无光刻机，完成光刻胶研发！

性能超越商用标准：193 nm干法光刻胶产品各项性能指标

完全超越欧美日商用光刻胶，填补国内空白，具备国际竞争力。

轻资产运营：轻资产模式、运营成本低。

世界一流研发团队：2名国际知名光刻胶专家：1、邓海博士，13年193光刻胶主管（客户端），193光刻胶在半导体领域应用范畴的行业定义人之一；2、川村，30年光刻胶产品质量管理经验 （供应商）。

深厚的客户资源：团队内多名资深光刻工艺专家，十年以上经验，曾在英特尔、中芯国际等知名企业工作，具有广泛的客户资源和行业人脉。

强大供应链：完善的OEM供应链，保障产品质量和供应。

就在我们公司成立的当年，我们有幸被势银调研，跟南大光电和博康一起被列为国内最早在Arf光刻胶方面有技术突破的企业之一。

广微纳产业链：广微纳量产光刻胶+珠海雅天量产光刻胶树脂（排他性供应）

也就是说从光刻胶的核心原材料，到光刻胶的配方，我们都拥有自主研发的独立的知识产权。

广微纳自主知识产权的布局涵盖的范围包括了光刻胶树脂、光刻胶光敏剂、光刻胶配方等。

目前广微纳的Arf光刻胶产品已经涵盖了从90纳米到28纳米节点的线条以及孔洞等光刻图形，跟一些欧美日的国际商用胶相比起来，光刻胶的一些性能也是全面平齐或者说是超越的。

从客户产品线上得到的结果证明广微纳产品OPC 、Pattern Defect 性能与 POR胶 基本一致。

广微纳ArF光刻胶技术优势：

技术优势一 : 高分辨率——环形照明下可以轻松成像80/80 nm，Line/Space的密集图形，达到干法ArF光刻的极限需求，湿法ArF光刻最高分辨率推进至40/40 nm。

技术优势二 : 工艺窗口大——DOF是光刻最重要的性能指标，大的DOF对客户意味着更宽的工艺窗口和可能更好的良率表现。

技术优势三 : 大高宽比——高宽比可以做到4。同样细的线宽，膜厚更厚而不倒塌，抗刻蚀能力更强，带给客户更大的工艺灵活性。

技术优势四 ：储存稳定性佳——至少10个月的储存稳定性，相较于普遍的光刻胶的6个月保质期，提高超过了50%。

下一代光刻胶材料研发：广微纳在ArF光刻胶之后，积极布局EUV和DSA领域以开发下一代光刻胶，其中针对5 nm分辨率快速DSA材料与复旦大学展开紧密的产学研合作，共同推进技术革新。

产学研合作成果包括5 nm分辨率快速DSA材料，其特点为可在低温条件下快速形成5纳米以下分辨率的光刻图案。

对于前述的光刻胶以及先进材料产品，我们是通过符合行业要求的QC质量管理体系，使之各方面达到行业以及客户的生产要求。

代工厂建设

现有经营范围：

危险化学品生产。一般项目：专用化学产品制造（不含危险化学品）；新型建筑材料制造（不含危险化学品）；涂料制造（不含危险化学品）。

升级后经营范围：含光刻胶生产及经营许可。

产能：200—500 GAL/月